发明名称 本占地菇的菌床栽培方法
摘要 本发明提供一种本占地菇的菌床栽培方法,其中发芽步骤和/或子实体生长步骤是在高CO2浓度的环境条件下进行的。高CO2浓度的环境条件的例子包括:在发芽步骤中CO2浓度为2,500ppm或更高以及在子实体生长步骤中CO2浓度为5,000ppm或更高。由于本发明的实施方案提高了本占地菇的菌床栽培方法中小芽的形成率,因此可通过大规模的商业栽培来稳定地生产本占地菇。
申请公布号 CN101743855A 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200910226282.6 申请日期 2009.11.27
申请人 宝生物工程株式会社 发明人 河合高志;桥本麻由;杉森武;日下部克彦;喜多昭彦;加藤郁之进
分类号 A01G1/04(2006.01)I 主分类号 A01G1/04(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 丁业平;张天舒
主权项 一种本占地菇的菌床栽培方法,包括如下步骤中的至少一个步骤:在高CO2浓度的环境条件下进行部分或全部的发芽步骤;以及在高CO2浓度的环境条件下进行部分或全部的子实体生长步骤。
地址 日本滋贺县