发明名称 |
从籽晶制造浇铸硅的方法和装置 |
摘要 |
本发明提供了用于浇铸硅的方法和装置,所述浇铸硅用于光伏电池和其它应用。在这些方法中,锭料可以低碳方式生长并且其结晶生长受到控制以增加在浇铸期间的用籽晶进行生长的材料的横截面。 |
申请公布号 |
CN101755075A |
申请公布日期 |
2010.06.23 |
申请号 |
CN200880025411.9 |
申请日期 |
2008.07.16 |
申请人 |
BP北美公司 |
发明人 |
内森·G·斯托达德;吴蓓;罗杰·F·克拉克;詹姆斯·A·克利伯尔 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;F27B14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
张颖;樊卫民 |
主权项 |
制造浇铸硅的方法,该方法包括:将坩埚布置在包括以下的层上:热传导材料;吸热器;和热绝缘区域,其中所述层的热传导部分接触坩埚的底表面的一部分;将至少一个籽晶放置在坩埚的底部上;放置熔融硅使其接触至少一个籽晶;和通过热传导材料排除热来形成硅的固体主体。 |
地址 |
美国伊利诺伊州 |