| 发明名称 | 一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种实时检测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法，在非晶硅薄膜晶化过程中实时采集非晶硅薄膜的电压电流值，并以此计算出非晶硅薄膜晶化过程中的电阻值，根据电阻值和退火时间实时绘制电阻-时间曲线，通过实时绘制的电阻-时间曲线判断非晶硅薄膜的晶化进程。本发明实施简单，并且可以在非晶硅薄膜晶化的过程中反映其晶化程度。 | ||
| 申请公布号 | CN101750436A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810240124.1 | 申请日期 | 2008.12.18 |
| 申请人 | 广东志成冠军集团有限公司 | 发明人 | 周志文;曾祥斌;宋佩珂 |
| 分类号 | G01N27/04(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人 | 刘伍堂 |
| 主权项 | 一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法，其特征在于，在非晶硅薄膜退火晶化过程中实时采集非晶硅薄膜的电压电流值，并以此计算出非晶硅薄膜晶化过程中的电阻值，根据电阻值和退火时间实时绘制电阻-时间曲线，通过实时绘制的电阻-时间曲线判断非晶硅薄膜的晶化进程。 | ||
| 地址 | 523718 广东省东莞市塘厦镇田心工业区 | ||