半导体集成电路

摘要

本申请公开了一种半导体集成电路，其包括被保护电路；以及与被保护电路形成在同一半导体衬底上适于保护被保护电路的保护元件，其中保护元件包括其阳极连接在一起以形成浮动节点，其阴极连接至被保护电路的两个二极管，这两个二极管在半导体衬底的阱中阱结构中形成，并且阱中阱结构包括形成浮栅的P型阱、通过衬底深部侧围绕除了衬底前侧的P型阱的表面以形成一个二极管的阴极的N型阱，以及在P型阱中形成的以形成另一个二极管的阴极的第一N型区域。

主权项

一种半导体集成电路，包括：被保护电路；以及保护元件，与所述被保护电路在同一半导体衬底上形成，并且适于保护所述被保护电路，其中所述保护元件包括两个二极管，它们的阳极连接在一起以形成浮动节点并且两个阴极连接至所述被保护电路，所述两个二极管在所述半导体衬底的阱中阱结构中形成，并且所述阱中阱结构包括：P型阱，形成浮栅，N型阱，通过衬底深部侧围绕所述P型阱的除了在衬底前侧之外的表面，以形成所述二极管中的一个的阴极，以及第一N型区域，在所述P型阱中形成，从而形成另一个所述二极管的阴极。