成膜装置、成膜方法、半导体制造装置及其所用的基座

摘要

本发明提供一种成膜装置、成膜方法、半导体制造装置及其所用的基座。所公开的半导体制造装置包括：对基板进行规定处理的容器；基板输送臂，包括支承基板(W)的背面周缘部的爪部，能进入容器内或从容器内退出；基座，包括台阶部和用于载置基板的载置区域，该台阶部被设置成使爪部能移动到比载置区域的上表面低的位置。

主权项

一种成膜装置，其在容器内通过执行将互相反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板上的循环而在该基板上生成反应生成物的层，从而堆积膜，其中，该成膜装置包括：基板输送臂，其能进入上述容器内或从上述容器内退出，包括支承上述基板的背面周缘部的爪部；基座，其能在上述容器内旋转，且该基座包括载置区域和台阶部，该载置区域被划定在一个面上，用于载置上述基板，该台阶部被设置成使上述爪部能移动到比上述载置区域的上表面低的位置；第1反应气体供给部，构成为将第1反应气体供给到上述一个面上；第2反应气体供给部，构成为沿着上述基座的旋转方向与第1反应气体供给部隔开间隔，将第2反应气体供给到上述一个面上；分离区域，其沿着上述旋转方向位于被供给上述第1反应气体的第1处理区域与被供给上述第2反应气体的第2处理区域之间，用于分离上述第1处理区域和上述第2处理区域；中央部区域，其为了分离上述第1处理区域和上述第2处理区域而位于上述容器的中央部，具有沿着上述一个面喷出第1分离气体的喷出孔；以及排气口，其是为了对上述容器内进行排气而设置在上述容器上的，上述分离区域包括：供给第2分离气体的分离气体供给部；以及顶面，在上述顶面与上述基座的上述一个面之间形成狭窄的空间，在该狭窄的空间中，上述第2分离气体能沿上述旋转方向从分离区域向上述处理区域侧流动。