| 发明名称 | MOS晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOS晶体管的制造方法，包括步骤：在半导体衬底上形成栅极结构；在栅极结构两侧的半导体衬底中进行源/漏延伸区注入；在栅极结构两侧的半导体衬底中依次注入第一离子、第二离子和第三离子，形成袋形注入区；在栅极结构两侧的半导体衬底中形成源/漏极。与现有技术相比，本发明采用三次离子注入来形成MOS晶体管的袋形注入区，可以有效减轻短沟道效应。 | ||
| 申请公布号 | CN101752253A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810204182.9 | 申请日期 | 2008.12.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：在半导体衬底上形成栅极结构；在栅极结构两侧的半导体衬底中进行源/漏延伸区注入；在栅极结构两侧的半导体衬底中依次注入第一离子、第二离子和第三离子，形成袋形注入区；在栅极结构两侧的半导体衬底中形成源/漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||