| 发明名称 | 结构改进的硅堆 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种结构改进的硅堆，它包括一绝缘基座和至少两个的整流二极管，所述的绝缘基座的左右两侧面上设置用于插设所述整流二极管的插孔，所述整流二极管的两端电极引线分别伸出于所述插孔的两端，并相互串联连接。本实用新型提供的硅堆中，二极管插接在绝缘板上设置的插孔中，设置于其两端的电极引线则向外伸出于插孔外，使得两端的电极引线的交错处较长，可以重叠焊接，因而其焊接可靠，不会产生“虚焊”的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN201514943U | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200920310473.6 | 申请日期 | 2009.09.16 |
| 申请人 | 厦门市天源兴环保科技有限公司;魏文深 | 发明人 | 魏文深 |
| 分类号 | H01L25/11(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人 | 李雁翔 |
| 主权项 | 结构改进的硅堆，它包括一绝缘基座和至少两个的整流二极管，其特征在于：所述的绝缘基座的左右两侧面上设置用于插设所述整流二极管的插孔，所述整流二极管的两端电极引线分别伸出于所述插孔的两端，并相互串联连接。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市同安工业集中区湖里园11号 | ||