发明名称 掺钴镁铝硅基玻璃陶瓷可饱和吸收体的制备方法
摘要 一种实现1.53μm波段超短激光脉冲被动调Q的掺钴镁铝硅基玻璃陶瓷可饱和吸收体的制备方法,该玻璃的摩尔百分比组成为:SiO2:47.5-54.5mol%,Al2O3:16-22mol%,MgO:16-23mol%,TiO2:6mol%,ZrO2:4mol%和CoO:0.5mol%。其制备方法是先使用传统的熔融法在硅钼棒熔炉中制备出硅酸盐玻璃,然后通过热处理工艺,在玻璃内部获得纳米尺寸晶相的析出,制得透明的MgAl2O4纳米晶透明玻璃陶瓷。本发明的工艺简单,晶化过程容易控制。相比单晶材料而言,生产周期短,成本低廉,且具有高的激光破坏阈值。
申请公布号 CN101746954A 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200910201427.7 申请日期 2009.12.18
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明人 于春雷;何冬兵;陈力;王孟;胡丽丽
分类号 C03C10/14(2006.01)I 主分类号 C03C10/14(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 张泽纯
主权项 一种实现1.53μm波段超短激光脉冲被动调Q的掺钴镁铝硅基玻璃陶瓷可饱和吸收体的制备方法,其特征在于该方法包括下列步骤:①该基体玻璃组成的摩尔百分比为:组成 mol%SiO2 47.5~54.5Al2O3 16~22MgO 17~23TiO2 6~8ZrO2 2~4CoO 0.5,选定基体玻璃组成的摩尔百分比后并按该摩尔百分比计算出玻璃各原料的重量,然后称量各原料,混合均匀形成混合料;②将混合料放入坩埚中,置于1400℃的硅钼棒电炉中烧结2小时;将烧结后的原料进行粉碎研磨后,置于1600℃的硅钼棒电炉中进行熔化,熔化时间为2小时,制成玻璃;然后将此玻璃重新进行粉碎研磨成玻璃粉末料;③将所述的玻璃粉末料再次置于1600℃的硅钼棒电炉中进行熔化,熔化时间为2小时,然后进行搅拌,搅拌时间为2小时,制成玻璃液;④将所述的玻璃液浇出后放入已升温至转变温度的马弗炉中,保温2小时后,降至室温,获得基体玻璃;⑤将所述的基体玻璃升温至800℃,保温成核时间为10~20小时,然后继续升温至900℃,保温析晶时间为2~5小时,降至室温,得到透明的玻璃陶瓷。
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