发明名称 | 一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法,包括制备预制层和硒化或硫化反应;制备预制层制得含有部分Se或S的预制层;硒化或硫化反应:将镀有钼和预制层的衬底硒化或硫化处理后,预制层即转变为吸收层。由于制备的预制膜中含有Se或S,将镀有钼和预制层的衬底在特定的温度下,固态硒源或硫源硒化或硫化彻底、完全、均匀,使预制层转变为铜铟镓硒或铜铟镓硫吸收层,有效提高吸收层薄膜性能,满足薄膜太阳电池的要求,从而提高电池性能,并且设备简单,过程可控。 | ||
申请公布号 | CN101752451A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
申请号 | CN200810153614.8 | 申请日期 | 2008.11.28 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 发明人 | 方小红;赵彦民;冯金晖;杨立;李巍 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人 | 李凤 |
主权项 | 一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法,其特征在于:包括制备预制层和硒化或硫化反应;制备预制层:采用真空磁控溅射设备将含有Se或S的CuIn和CuGa靶材同时或先后溅射在镀钼的衬底上,制得含有部分Se或S的预制层;或者采用真空磁控溅射设备将含有Se或S的CuInGa合金靶材溅射在镀钼的衬底上,制得含有部分Se或S的预制层;硒化或硫化反应:将镀有钼和预制层的衬底放入真空加热炉内,快速、均匀的升温,使得基片所在区域温度控制在400-590℃,固态硒源或硫源所在区域温度控制在180-300℃,依据金属预制层的厚度,进行10-30min的硒化或硫化处理后,预制层即转变为吸收层。 | ||
地址 | 300381 天津市南开区李七庄凌庄子道18号 |