| 发明名称 | 固态成像器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及固态成像器件及其制造方法，公开了一种固态成像器件，包括：第一转移电极部分以及第二转移电极部分，所述第二转移电极部分的图案面积比率高于所述第一转移电极部分的图案面积比率。所述第一转移电极部分包括具有金属材料单层结构的多个第一转移电极。所述第二转移电极部分包括具有多晶硅或非晶硅单层结构的多个第二转移电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101752398A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910253963.1 | 申请日期 | 2009.12.09 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 泷本香织;冈田雅幸;武田健 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 李晓冬;南霆 |
| 主权项 | 一种固态成像器件，包括：第一转移电极部分；以及第二转移电极部分，所述第二转移电极部分的图案面积比率高于所述第一转移电极部分的图案面积比率，所述第一转移电极部分包括具有金属材料单层结构的多个第一转移电极，所述第二转移电极部分包括具有多晶硅或非晶硅单层结构的多个第二转移电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||