用于辐射检测的半导体器件

摘要

本发明提供一种用于辐射检测的半导体器件(11)，其包括：由例如硅等的衬底半导体材料构成的衬底区域(1)以及在半导体器件(11)的表面上的检测区域(3)，在检测区域(3)中，当电磁辐射(L)入射到半导体器件(11)上时产生并检测第一导电类型的电荷载流子，例如电子。该半导体器件(11)还包括由阻挡半导体材料或绝缘材料材料构成的阻挡区域(2，5，14)，该阻挡区域(2，5，14)是衬底区域(1)和检测区域(3)之间的用于电离辐射(X)(例如X射线)透射到衬底区域(1)中而在衬底区域(1)中产生的电荷载流子的障碍物。通过这种方式，本发明提供一种用于辐射检测的半导体器件(11)，其中减少了透射到衬底区域(1)中的如X射线等的电离辐射(X)对半导体器件的性能的影响。

主权项

一种用于辐射检测的半导体器件(11)，包括：由衬底半导体材料构成的衬底区域(1)以及在所述半导体器件(11)的表面上的检测区域(3)，在该检测区域(3)中，当电磁辐射(L)入射到所述半导体器件(11)上时产生电荷载流子，并且检测第一导电类型的电荷载流子，该半导体器件(11)还包括阻挡区域(2，5，14)，该阻挡区域是所述衬底区域(1)和所述检测区域(3)之间的障碍物，该障碍物用于限制电离辐射(X)透射到所述衬底区域(1)中而在衬底区域(1)中产生的所述第一导电类型的电荷载流子，该半导体器件(11)还包括由所述第一导电类型的半导体材料构成的泄漏区域(6)，其延伸到所述衬底区域(1)中并与所述检测区域(3)的侧面区域和所述阻挡区域(2，5，14)的侧面区域相邻。