| 发明名称 | 一种电容器的纳米线底电极与电介质复合薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的电容器的纳米线底电极与电介质复合薄膜，在基板上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层，硅化钛纳米线底电极层和电介质薄膜层。该复合薄膜采用溶胶-凝胶法制备，对设备要求低，操作方便，易于实现。本发明利用硅化钛纳米线底电极的高比表面积，大大增加电介质和电极接触面积，提高了这种薄膜复合结构的电容量，其电容量为相同尺度普通电极薄膜电容量的3倍以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101252042B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810059995.3 | 申请日期 | 2008.03.07 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 杜丕一;任招娣;韩高荣;宋晨路;翁文剑;徐刚;沈鸽;赵高凌;张溪文;汪建勋 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01G13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 一种电容器的纳米线底电极与电介质复合薄膜，其特征在于：在基板(1)上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层(2)、硅化钛纳米线底电极层(3)和电介质薄膜层(4)。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市浙大路38号 | ||