| 发明名称 | 场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 公开了一种HJFET 110，其包括：由InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NS×η×t[cm-2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。 | ||
| 申请公布号 | CN101416290B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200780012035.5 | 申请日期 | 2007.03.29 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;村濑康裕;大田一树;分岛彰男;黑田尚孝 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，其包括：由InyGa1-yN构成的沟道层，其中0≤y≤1；由AlxGa1-xN构成的载流子供应层，所述载流子供应层提供在所述沟道层的上方并且包括至少一个p型层，其中0＜x≤1；以及源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、漏电极和栅电极被设置成通过所述p型层面向所述沟道层，并提供在所述载流子供应层的上方，其中，满足下面的关系表达式：[数学公式1]5.6×1011x＜NA×η×t[cm-2]＜5.6×1013x，其中，x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示所述p型层的杂质浓度，以及η表示所述p型层的活化比率。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||