一种改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法

摘要

改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法，采用HVPE工艺，包括下述步骤：1)采用的衬底是蓝宝石或Si；2)将上述衬底经过清洗、吹干后，放入HVPE生长系统中，先生长低温GaN缓冲层，缓冲层生长温度550-750℃，生长时间30-300s；3)将生长温度升高至850-950℃，在该温度下进行GaN生长，时间30-300s；4)维持步骤3生长条件开始升温生长，直到生长温度提升至1050-1100℃，继续进行GaN的HVPE生长，直到得到所需厚度的GaN薄膜；5)生长完成后缓慢降温至室温，降温速率不高于10℃/分钟。

主权项

改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法，采用HVPE工艺，反应源材料为金属镓与HCl或三甲基镓、载气NH3；其特征是包括下述步骤：1)、采用的衬底是蓝宝石或Si，2)、将上述衬底经过清洗、吹干后，放入HVPE生长系统中，先生长低温GaN缓冲层，缓冲层生长温度550-750℃，生长时间30-300s；3)、将生长温度升高至850-950℃，在该温度下进行GaN生长，时间30-300s；4)、维持步骤3生长条件开始升温生长，在该过程中GaN生长一直持续进行；直到生长温度提升至1050-1100℃，继续进行GaN的HVPE生长，直到得到所需厚度的GaN薄膜；升温即变温生长升温时间0.5-2小时，在升温过程中生长GaN薄膜的厚度不能低于50微米；5)、生长完成后缓慢降温至室温，降温速率不高于10℃/分钟。