发明名称 | 采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法,包括:在绝缘衬底上涂敷光刻胶;光刻得到栅电极图形;蒸发或沉积金属电极材料;用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形;在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料;在绝缘介质层材料上匀胶后光刻得到器件源漏电极的图形;再次蒸发或沉积金属电极材料,剥离后得到器件的源漏电极图形;沉积生长有机半导体薄膜,完成有源层图形化的有机场效应晶体管的制备。利用本发明,对有源层的图形化工艺简单,没有增加光刻步骤,主要依靠栅介质的台阶特性实现器件隔离和有源层的图形化。另外,本方法也与成熟的光刻工艺兼容,降低了成本,有利于工业生产。 | ||
申请公布号 | CN101752508A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
申请号 | CN200810240085.5 | 申请日期 | 2008.12.17 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 |
分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法,其特征在于,该方法包括:步骤1、在绝缘衬底上涂敷光刻胶;步骤2、光刻得到栅电极图形;步骤3、蒸发或沉积金属电极材料;步骤4、用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形;步骤5、在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料;步骤6、在绝缘介质层材料上匀胶后光刻得到器件源漏电极的图形;步骤7、再次蒸发或沉积金属电极材料,剥离后得到器件的源漏电极图形;步骤8、沉积生长有机半导体薄膜,完成有源层图形化的有机场效应晶体管的制备。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |