主权项 |
一种玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤一、沉积背电极;在玻璃衬底[10]的两面上,用两个SnO2:F靶同时溅射沉积氧化锡类透明导电SnO2:F背电极[11]和[12],厚度为0.7μm~1.0μm;再分别对背电极[11]和[12]进行激光刻划;步骤二、沉积吸收层;用共蒸发法,即用Cu、In、Ga、Se进行反应蒸发,分别在背电极[11]和[12]上沉积铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2)吸收层[13]和[14],厚度为1.0μm~1.5μm;蒸发时,衬底温度控制在400℃~510℃;其中:迎光面吸收层[13]中各元素的原子比为Cu/(In+Ga):0.85~0.95、x>0.5,为宽带隙吸收层;背光面吸收层[14]中各元素的原子比为Cu/(In+Ga):0.85~0.95、x<0.35,为窄带隙吸收层;步骤三、沉积缓冲层;用化学水浴法,同时在吸收层[13]和[14]上沉积Zn(S,O,OH)缓冲层[15]和[16],厚度为50nm~100nm,水浴温度控制在80℃~90℃;步骤四、机械刻划;分别对吸收层[13]、缓冲层[15]和吸收层[14]、缓冲层[16]进行机械刻划;步骤五、沉积透明电极层;在缓冲层[15]和[16]上,用两个SnO2:In靶同时溅射沉积氧化锡类透明导电SnO2:In透明电极[17]和[18],厚度为300nm~600nm;步骤六、透明电极机械刻划;分别对吸收层[13]、缓冲层[15]、透明电极[17]和吸收层[14]、缓冲层[16]、透明电极[18]进行机械刻划;步骤七、封装;在玻璃衬底[20]上制作完成双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件[21]后,在电池组件的正反背电极和透明电极上分别焊接四根汇流条[22],在每根汇流条上分别焊接一根引出线[23];把薄膜太阳电池放在滚压平台前,与覆盖膜[24]、粘接层[25]和背面覆盖膜[26]进行层压封装,最后,把边框[27]固定在组件上。 |