| 发明名称 | 一种增强热光电的半导体装置中载流子的生成的方法以及该热光电的半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种加强接收来自一加热的表面(1)的辐射的一半导体表面(2)中的载流子的生成的方法，该表面(1)被加热到高于该半导体表面(2)的温度，该方法包括有步骤：并置地放置这些表面(1，2)，其特征在于将这些表面(1，2)之间的间隙调整至微米尺寸的间隔。 | ||
| 申请公布号 | CN1265776B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN98807837.6 | 申请日期 | 1998.07.27 |
| 申请人 | 罗伯特·斯蒂芬·迪马特奥 | 发明人 | 罗伯特·斯蒂芬·迪马特奥 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 一种加强接收来自一加热的表面(1)的辐射的一半导体表面(2)中的载流子的生成的方法，该表面(1)被加热到高于该半导体表面(2)的温度，该方法包括有步骤：并置地放置这些表面(1，2)，其特征在于将这些表面(1，2)之间的间隙调整至微米尺寸的间隔。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||