| 发明名称 | 具有多个发光单元的发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括：彼此分开的多个发光单元；第一介电层，覆盖发光单元；导线，形成在第一介电层上，并将相邻的发光单元彼此电连接；第二介电层，覆盖第一介电层和导线。第一介电层和第二介电层由相同材料形成，并且第一介电层比第二介电层厚。通过该构造，改善了第一介电层和第二介电层之间的结合特性，从而防止湿气进入发光二极管。本发明还公开了该发光二极管的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101752399A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910224858.5 | 申请日期 | 2009.11.27 |
| 申请人 | 首尔半导体株式会社 | 发明人 | 葛大成;金大原;徐源哲;芮暻熙;李柱雄 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L21/782(2006.01)I;H01L33/44(2010.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 郭鸿禧;薛义丹 |
| 主权项 | 一种发光二极管，包括：多个发光单元，在单个基底上彼此分开，每个发光单元包括下半导体层、上半导体层和有源层，上半导体层位于下半导体层的一个区域上方，有源层设置在上半导体层和下半导体层之间；第一介电层，覆盖发光单元的整个表面，并且具有形成在下半导体层的其它区域上的开口和形成在上半导体层上的开口；导线，形成在第一介电层上，通过开口将相邻的发光单元彼此电连接；第二介电层，覆盖第一介电层和导线，其中，第一介电层和第二介电层由相同的材料形成，并且第一介电层比第二介电层厚。 | ||
| 地址 | 韩国首尔市 | ||