| 发明名称 | 半导体晶片、半导体芯片及处理晶片的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体晶片、半导体芯片及处理晶片的方法和设备。处理半导体晶片的方法包括：将晶片预加热到低于峰值温度的预热温度；以平均约每秒100℃或更高的第一变温速率将晶片从预热温度加热到峰值温度；以及在将晶片从预热温度加热到峰值温度之后，立即以平均每秒约-70℃或更高的第二变温速率将晶片从峰值温度冷却到预热温度，其中峰值温度为约1100℃或更高。 | ||
| 申请公布号 | CN101752246A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910253465.7 | 申请日期 | 2009.12.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 具泰亨;崔三宗;金泰成;曹圭彻;崔埈荣;金熹声;金娟淑 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种处理半导体晶片的方法，包括：将所述晶片预加热到低于峰值温度的预热温度；以平均每秒约100℃或更高的第一变温速率将所述晶片从所述预热温度加热到所述峰值温度；以及在将所述晶片从所述预热温度加热到所述峰值温度之后，立即以平均每秒约-70℃或更高的第二变温速率将所述晶片从所述峰值温度冷却到所述预热温度，其中所述峰值温度为约1100℃或更高。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||