| 发明名称 | 处理半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种处理半导体晶片(5)的处理方法，其中半导体晶片(5)●在至少部分用含氟化氢的溶液(91)填充的液体容器(11)中处理，以使位于半导体晶片(5)表面上的氧化物溶解，●沿输送方向(81)从溶液(91)输出，并干燥，以及●干燥后，用含臭氧气体(93)处理，以使半导体晶片(5)的表面氧化，其中，半导体晶片(5)的一部分表面已经与含臭氧气体(93)接触，而半导体晶片(5)的另一部分表面仍旧与溶液(91)接触，并且溶液(91)和含臭氧气体(93)以不会彼此接触的方式空间分离。 | ||
| 申请公布号 | CN101752215A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910221754.9 | 申请日期 | 2009.11.16 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | G·施瓦布;D·费霍;T·布施哈尔特;H-J·卢特;F·索林格 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 程大军 |
| 主权项 | 一种处理半导体晶片(5)的处理方法，其中半导体晶片(5)●在至少部分用含氟化氢的溶液(91)填充的液体容器(11)中处理，以使位于半导体晶片(5)表面上的氧化物溶解，●沿输送方向(81)从溶液(91)输出，并干燥，以及●干燥后，用含臭氧气体(93)处理，以使半导体晶片(5)的表面氧化，其中，半导体晶片(5)的一部分表面已经与含臭氧气体(93)接触，而半导体晶片(5)的另一部分表面仍旧与溶液(91)接触，并且溶液(91)和含臭氧气体(93)以不会彼此接触的方式空间分离。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||