发明名称 成膜装置、成膜方法、存储介质及气体供给装置
摘要 一种成膜装置,具备处理容器(2)、配置在处理容器(2)内且用于载置基板W的载置台(3)、与载置台(3)相对地配置且供给第一处理气体的第一气体供给孔(51b)、供给第二处理气体的第二气体供给孔(52b)、以及供给第三处理气体的第三气体供给孔(53b)的气体供给面(40a)的气体喷头(4)。气体供给面(40a)被分割成由互为相同大小的正三角形构成的单元区划(401),在构成该单元区划(401)的各正三角形的三个顶点分别设有所述第一气体供给孔(51b)、所述第二气体供给孔(52b)和所述第三气体供给孔(53b)。第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体各自互不相同,使这些第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体相互反应,在基板W的表面形成薄膜。
申请公布号 CN101755325A 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200880025121.4 申请日期 2008.09.11
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 津田荣之辅
分类号 H01L21/31(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I 主分类号 H01L21/31(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 蒋亭;苗堃
主权项 一种成膜装置,其特征在于,具备:处理容器,配置在所述处理容器内且用于载置基板的载置台,以及与所述载置台相对地配置且具有设有供给第一处理气体的第一气体供给孔、供给第二处理气体的第二气体供给孔和供给第三处理气体的第三气体供给孔的气体供给面的气体喷头;所述气体供给面被分割成由互为相同大小的正三角形构成的单元区划,在构成该单元区划的各正三角形的三个顶点分别设有所述第一气体供给孔、所述第二气体供给孔和所述第三气体供给孔,所述第一处理气体、所述第二处理气体和所述第三处理气体各自互不相同,使第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体相互反应,在所述基板的表面形成薄膜。
地址 日本东京都