| 发明名称 | 堆叠电容的储存电极结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种堆叠电容的储存电极结构及其制作方法。该堆叠电容的储存电极结构，包含有基底，其上设有导电区域；蚀刻停止层，覆盖该导电区域；导电层，穿过该蚀刻停止层，而与该导电区域电连接；环形的导电间隙壁，设于该导电层侧壁上，其中该导电间隙壁位于该蚀刻停止层上，且该导电层与该导电间隙壁构成储存电极基柱；以及储存电极上部，叠设于该储存电极基柱上。 | ||
| 申请公布号 | CN101752379A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810185348.7 | 申请日期 | 2008.12.22 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 吴晓婷 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种堆叠电容的储存电极结构，特征在于包含有：基底，其上设有导电区域；蚀刻停止层，覆盖该导电区域；导电层，穿过该蚀刻停止层，而与该导电区域电连接；环形的导电间隙壁，设于该导电层侧壁上，其中该导电层与该导电间隙壁构成储存电极基柱；以及储存电极上部，叠设于该储存电极基柱上。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||