用于确定光刻掩模的可制造性的方法

摘要

本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘。掩模版图数据包括遍及多个基元而分布的多个多边形，其中每一个多边形具有多个边缘。基元包括中心基元、在中心基元上下的两个垂直基元以及在中心基元左右的两个水平基元。以减少在确定制造惩罚中的计算量的方式选择目标边缘对，用于确定形成光刻掩模时的制造惩罚。基于所选择的目标边缘对而确定光刻掩模的可制造性，包括形成光刻掩模时的制造惩罚。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。

主权项

一种用于确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性的方法，其包括：从所述光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘，所述掩模版图数据包括遍及多个基元而分布的多个多边形，每一个多边形具有多个边缘，所述基元包括中心基元、两个垂直基元以及两个水平基元，所述垂直基元包括位于所述中心基元上方的上基元和位于所述中心基元下方的下基元，并且所述水平基元包括位于所述中心基元左侧的左基元和位于所述中心基元右侧的右基元，其中对所述目标边缘的选择包括：将多个第一目标边缘选择为至少部分地位于所述中心基元内的边缘；将多个第二目标边缘选择为这样的边缘，这些边缘至少部分地位于所述中心基元、所述垂直基元或所述水平基元内且是至少部分地位于所述中心基元内的多边形的部分；将多个第三目标边缘选择为这样的边缘，这些边缘至少部分地位于所述中心基元、所述垂直基元或所述水平基元内且是至少部分地位于所述中心基元、所述垂直基元或所述水平基元内的多边形的部分；选择多个目标边缘对，所述目标边缘对用于确定在形成光刻掩模时的制造惩罚，以减少在确定制造所述掩模时的所述制造惩罚中的计算量的方式选择所述目标边缘对，每一个目标边缘对包括第一边缘和第二边缘，所述第一边缘选自所述第一目标边缘，所述第二边缘选自所述第二目标边缘或所述第三目标边缘；确定所述光刻掩模的所述可制造性，包括确定形成所述光刻掩模时的所述制造惩罚，其中基于所选择的目标边缘对而确定所述制造惩罚；以及输出所述光刻掩模的所述可制造性，其中所述光刻掩模的所述可制造性依赖于形成所述光刻掩模时的所述制造惩罚。