发明名称 半导体存储装置以及在其中执行刷新操作的方法
摘要 一种执行一刷新操作的半导体存储装置,其包含一温度感测单元、一模拟数字转换单元及一刷新控制单元,其中该温度感测单元用以测量温度并根据该测得温度产生一温控电压与一参考电流;一模拟数字转换单元用以将该温控信号转换成一N位数字信号;一刷新控制单元用于产生刷新信号以响应该N位数字信号,其中该刷新信号的周期根据该N位数字信号来控制。
申请公布号 CN1637942B 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200410091089.3 申请日期 2004.11.16
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 金世埈;洪祥熏;高在范
分类号 G11C11/406(2006.01)I 主分类号 G11C11/406(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王学强
主权项 一种能根据温度变化而执行刷新操作的半导体存储装置,包含:一温度感测装置,用以测量温度并根据该测得温度产生一温控电压与一参考电流;一模拟数字转换装置,用于将该温控电压转换成N位数字信号以响应该参考电流;及一刷新控制装置,用于产生一刷新信号以响应该N位数字信号,其中该刷新信号的周期根据该N位数字信号来控制,其中该温度感测装置包括:第一温度感测单元,用以产生一第一电流,该第一电流在该测得温度减少时增加,并在该测得温度增加时减少;第二温度感测单元,用以产生一第二电流,该第二电流在该测得温度增加时增加,并在该测得温度减少时减少;温控电压产生单元,用以产生该温控电压;以及参考电流产生单元,用以产生参考电流,且该参考电流为该第一电流及该第二电流的总电流。
地址 韩国京畿道