| 发明名称 | 具有混合高介电材料层的电子元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有混合高介电材料层的电子元件及其制造方法。该电子元件包括基板，第一电极层设置于基板上。多层绝缘层包括第一介电层以及第二介电层，其中第一介电层与第二介电层之间互溶且实质上无界面存在。第二电极层设置于该多层绝缘层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101221981B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200710001664.X | 申请日期 | 2007.01.09 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 林蔚伶;温景发;李文熙;胡堂祥;王俊杰;李正中 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种具有混合高介电材料层的电子元件，包括：基板；第一电极层设置于该基板上；多层绝缘层包括第一介电层以及第二介电层，其中该第一介电层与该第二介电层之间互溶且实质上无界面存在；以及第二电极层设置于该多层绝缘层上；其中该第一介电层包括高介电材料，由高介电纳米粒子与感光型或非感光型高分子介质所组合而成的有机无机混合材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||