| 发明名称 | 形成硅层的方法及使用该硅层的显示基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造硅层的方法，其包括：使用包括四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4-H2气体及其混合物中的至少一种的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法对形成于基板上的氮化硅层的表面进行预处理。然后，使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。 | ||
| 申请公布号 | CN101026093B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200710079362.4 | 申请日期 | 2007.02.15 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 库纳尔·吉罗特拉;金秉浚;梁成勋 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 一种形成硅层的方法，包括：使用包括选自四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4-H2气体及其混合物组成的组中的至少一种气体的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法预处理形成于基板上的氮化硅层的表面；以及使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的所述氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||