硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法，所述薄膜是在硅片衬底(1)正表面沉积一层氮化硅薄膜(2.1)，在氮化硅薄膜(2.1)上面再沉积一层二氧化硅薄膜(2.2)，形成氮化硅/二氧化硅双层反射薄膜(2)。所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、在制绒后的硅片衬底上，利用等离子体增强化学气相沉积法，SiH4与NH4反应，沉积一层氮化硅薄膜；步骤二、在氮化硅薄膜上，利用等离子体增强化学气相沉积法，SiH4与N2O反应，沉积一层二氧化硅薄膜。本发明薄膜比传统单层减反射薄膜具有更小的折射率，电池效率提高。本发明方法可以在同一台设备内完成，在工艺及设备上得到简化。

主权项

一种硅太阳能电池双层减反射薄膜的制备方法，其特征在于所述薄膜是在硅片衬底(1)正表面沉积一层氮化硅薄膜(2.1)，在氮化硅薄膜(2.1)上面再沉积一层二氧化硅薄膜(2.2)，形成氮化硅/二氧化硅双层反射薄膜(2)；所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、在制绒后的硅片衬底上，利用等离子体增强化学气相沉积法，采用SH4和NH3为反应源，SiH4与NH4反应，沉积一层氮化硅薄膜，该层氮化硅薄膜厚110nm，硅片衬底温度400℃，高频电源功率500W，高频电源的频率13.56mhz，SiH4流量500sccm，NH3流量5000sccm；步骤二、在氮化硅薄膜上，利用等离子体增强化学气相沉积法，采用SH4和N2O为反应源，SiH4与N2O反应，沉积一层二氧化硅薄膜，该层二氧化硅薄膜厚度50nm，硅片衬底衬底温度350℃，高频电源功率110W，高频电源的频率13.56mhz，SiH4流量200sccm，N2O流量640sccm。