发明名称 多畴垂直取向模式的液晶显示装置
摘要 本发明涉及一种多畴垂直取向模式的液晶显示装置,包括彼此相对的彩膜基板和阵列基板;其中,所述阵列基板上的每个像素包括第一像素电极和第二像素电极,分别通过第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管和当前行栅极线相连,每个像素还包括第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的栅极和下一行栅极线相连,漏极和所述第二像素电极相连,源极和当前行公共电极线相连,所述第一或第二薄膜晶体管的长宽比大于所述第三薄膜晶体管的长宽比。本发明提供的多畴垂直取向模式的液晶显示装置,改善侧向可视性且不影响开口率。
申请公布号 CN101441380B 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200810207271.9 申请日期 2008.12.18
申请人 上海广电光电子有限公司 发明人 陆海峰;高孝裕
分类号 G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/139(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 G02F1/1368(2006.01)I
代理机构 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人 白璧华
主权项 一种多畴垂直取向模式的液晶显示装置,包括彼此相对的第一基板和第二基板,所述第二基板上形成有相互交叉的栅极线、数据线及和栅极线大致平行的公共电极线,所述栅极线和数据线相交处形成有像素区域;每个像素包括第一像素电极和第二像素电极,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管;所述第一像素电极和第二像素电极分别通过第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管与当前行栅极线相连,所述第三薄膜晶体管的栅极和下一行栅极线相连,漏极和所述第二像素电极相连;其特征在于,所述第三薄膜晶体管的源极和当前行公共电极线相连,所述第一或第二薄膜晶体管的沟道的长宽比大于所述第三薄膜晶体管的沟道的长宽比。
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