种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质

摘要

本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。

主权项

一种种膜的形成方法，该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器内利用等离子体使金属靶离子化而产生金属离子，利用偏压电力将所述金属离子引向载置在所述处理容器内的载置台上的表面具有凹部的被处理体，在包括所述凹部内的所述被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于：交替地多次重复进行下述工序：将所述偏压电力设定为在所述被处理体的表面上一度形成的所述金属膜不会被溅射的大小，并形成所述金属膜的成膜工序；和不产生所述金属离子，中止所述金属膜的形成的中止工序。