发明名称 耐磨损和抗氧化TiAlSiCN薄膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种耐磨损和抗氧化TiAlSiCN薄膜的制备方法,该方法将基体预处理后放入电弧增强磁控溅射镀膜设备中,以柱弧Ti靶作为Ti源,通过柱弧电源电流控制柱弧Ti靶的溅射率;以平面Si靶、Al靶和C靶作为相应元素的来源,平面Si靶、Al靶和C靶以对靶的方式安置在炉体内壁上,通过调整中频脉冲电源的功率控制靶的溅射率;采用高纯Ar作为主要离化气体,保证有效的辉光放电过程;采用高纯N2作为反应气体,使其离化并与Ti、Si、Al、C元素结合,在基体表面沉积形成TiAlSiCN薄膜,该方法制备的新型TiAlSiCN多元薄膜材料,薄膜硬度达到40GPa以上,摩擦系数为0.2,有望从根本上解决刀具的长寿命和模具的高效率,以及加工无污染的难题。
申请公布号 CN101435071B 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200810231744.9 申请日期 2008.10.15
申请人 西安交通大学 发明人 马胜利;徐可为;吴贵智;刘四涛
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 代理人 李郑建
主权项 一种耐磨损和抗氧化TiAlSiCN薄膜的制备方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:1)将基体试样预处理后放入电弧增强磁控溅射镀膜设备中的转架杆上,该转架杆随转架台转动,或者自转,以避免薄膜只能单面镀以及镀膜不均,保证镀膜过程的均匀性;2)以柱弧Ti靶作为Ti源,通过调整柱弧电源电流控制柱弧Ti靶的溅射率;以平面Si靶、Al靶和C靶作为相应元素的来源,平面Si靶、Al靶和C靶以对靶的方式安置在炉体内壁上,通过调整中频脉冲电源的功率控制靶的溅射率;采用高纯Ar作为主要离化气体,保证有效的辉光放电过程;采用高纯N2作为反应气体,使其离化并与Ti、Si、Al、C元素结合,在基体表面沉积形成TiAlSiCN薄膜:3)制备工艺条件:镀膜前,通入10ml/min的Ar到炉内真空室,当真空室气压达到6Pa并保持气压稳定于6Pa时,开偏压至-1000V对真空室进行轰击清洗,持续20min;然后开柱弧Ti靶,柱弧电流60A,利用电弧进一步对真空室轰击清洗,持续5min;真空室清洗完成后,调节Ar流量到22ml/min,将真空室气压调至0.3Pa,开启柱弧Ti靶,柱弧电流为60A,调整偏压到-500V,然后通入流量为10ml/min的N2,在基体表面镀制一层TiN过渡层,持续5min;随后将偏压调整为-100V,Ar流量22ml/min维持不变,N2流量调整为40ml/min,柱弧Ti靶电流保持60A,打开Si靶、Al靶和C靶的控制电源,逐渐将Si靶、Al靶和C靶的电源功率分别调至1.8kW、15kW和15kW,保持真空室气压0.3Pa不变,在TiN过渡层上进行TiAlSiCN薄膜制备,镀膜过程中真空室温度为200℃,镀膜时间240min,即可在基体表面上获得五元成 分的TiAlSiCN薄膜。
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