| 发明名称 | 袋形注入区的离子注入方法及MOS晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及形成MOS晶体管袋形注入区的离子注入方法及MOS晶体管的制造方法。其中，形成MOS晶体管袋形注入区的离子注入方法包括步骤：将所述晶圆以通过晶圆中心且垂直于晶圆的直线为轴旋转第一角度；进行形成袋形注入区的源/漏区离子注入；将所述晶圆以所述直线为轴旋转第二角度，旋转第二角度的方向与旋转第一角度的方向相同；保持离子注入的方向不变，重复进行形成袋形注入区的源/漏区离子注入和旋转第二角度的步骤，直至晶圆回到旋转第一角度后的状态。与现有技术相比，本发明可以控制MOS晶体管的结电容。 | ||
| 申请公布号 | CN101752231A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810204179.7 | 申请日期 | 2008.12.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种形成MOS晶体管袋形注入区的离子注入方法，其特征在于，包括步骤：将所述晶圆以通过晶圆中心且垂直于晶圆的直线为轴旋转第一角度；进行形成袋形注入区的源/漏区离子注入；将所述晶圆以所述直线为轴旋转第二角度，旋转第二角度的方向与旋转第一角度的方向相同；保持离子注入的方向不变，重复进行形成袋形注入区的源/漏区离子注入和旋转第二角度的步骤，直至晶圆回到旋转第一角度后的状态。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||