高压MOS器件栅氧化层可靠性的测试结构及方法

摘要

本发明涉及高压MOS器件栅氧化层可靠性的测试结构及其方法，将不同的测试用电流电压源探针分别与栅极和基极相连接。为了增大单个测试键中测试的栅氧化层面积，采用重复多个相同结构(通常为2个)并联的结构，其特征在于：每个重复结构的栅极使用相对独立的接触垫，共用基极接地，并通过环形保护结构部分包围测试结构，两侧的栅极接触垫连接不同的电流电压源探针，由各电流电压源同步输出测试电压并量测相应电流。应用本发明的设计方案，保证了可靠性测试的实施稳定性，也提高了可靠性测试的效率。

主权项

高压MOS器件栅氧化层可靠性的测试结构，涉及高压MOS器件的栅极与基极，所述栅极连接测试用电流电压源探针，多个相同结构并联，其特征在于：多个重复结构的栅极使用相对独立的接触垫，共用基极接地，而栅极接触垫则独立连结不同的电流电压源探针。