发明名称 |
光刻版图及其测量光刻形变的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种光刻版图,包括曝光单元,所述曝光单元的四个边分别设置有切割道,各切割道呈风车形排列;各切割道的末端设有旋转标记,旋转标记与所述曝光单元的中心对齐。所述四个旋转标记为两种,一种为框形,另一种为矩形。本发明在切割道的末端设置两种不同的旋转标记,可通过目前工艺流程中的套刻精度测量的机台来测量,无需添加新的机台。本发明通过两种旋转标记之间距离的测量来判断第一次光刻的形变情况,可以提高第一次光刻的形变精度。本发明切割道的长度和宽度分别仅为现有技术中切割道的长度和宽度的一半,能够很大地缩小切割道在硅片上所占尺寸的比例。本发明还公开了采用该光刻版图测量光刻形变的方法。 |
申请公布号 |
CN101750899A |
申请公布日期 |
2010.06.23 |
申请号 |
CN200810044053.8 |
申请日期 |
2008.12.04 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
陈福成;阚欢;吴鹏 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种光刻版图,包括曝光单元,其特征在于:所述曝光单元的四个边分别设置有切割道,各切割道呈风车形排列;各切割道的末端设有旋转标记,旋转标记与所述曝光单元的中心对齐。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |