发明名称 | 一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法,包括:清洗干净柔性塑料衬底;使用光刻和剥离工艺在塑料衬底上制备出器件的栅电极;在器件区域内通过接触式微区旋涂在栅电极上涂敷有机栅介质;烘烤有机栅介质,在有机栅介质上光刻出源漏电极的图形;再次蒸镀金属电极,该电极引线直接从源漏电极上跨过栅介质边缘连到塑料衬底上;剥离光刻胶后得到图形化了的全有机场效应晶体管器件的电极图;真空蒸镀有机半导体层,完成器件的制作。利用本发明,在工艺上是与成熟的光刻工艺相兼容,且工艺过程中回避了制作过孔的过程,简化了工艺流程从而保证了器件的性能。 | ||
申请公布号 | CN101752504A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
申请号 | CN200810240080.2 | 申请日期 | 2008.12.17 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 |
分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法,其特征在于,该方法包括:步骤1、清洗干净柔性塑料衬底;步骤2、使用光刻和剥离工艺在塑料衬底上制备出器件的栅电极;步骤3、在器件区域内通过接触式微区旋涂在栅电极上涂敷有机栅介质;步骤4、烘烤有机栅介质,在有机栅介质上光刻出源漏电极的图形;步骤5、再次蒸镀金属电极,该电极引线直接从源漏电极上跨过栅介质边缘连到塑料衬底上;步骤6、剥离光刻胶后得到图形化了的全有机场效应晶体管器件的电极图;步骤7、真空蒸镀有机半导体层,完成器件的制作。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |