发明名称 | 半导体器件中通孔或接触孔短路检测结构 | ||
摘要 | 本发明公开了一种半导体器件中通孔或接触孔短路检测结构,在设置有规则排列的通孔或者接触孔的层间膜上面的金属层上设置两组相邻的金属连线,所述两组金属连线在正常状态下相互不导通,所述两组金属连线由其各自的通孔引出。本发明通过上述结构,能够方便的检测出由于各种原因而造成的通孔或接触孔的短路,从而能够及时对工艺进行调整,保证产品的合格率。 | ||
申请公布号 | CN101750563A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
申请号 | CN200810044122.5 | 申请日期 | 2008.12.17 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 董科 |
分类号 | G01R31/02(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/02(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 顾继光 |
主权项 | 一种半导体器件中通孔或接触孔短路检测结构,其特征在于,在设置有规则排列的通孔或者接触孔的层间膜上面的金属层上设置两组相邻的金属连线,所述两组金属连线在正常状态下相互不导通,所述两组金属连线由其各自的通孔引出。 | ||
地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |