发明名称 基于片上可编程系统的数控系统精插补器及其控制方法
摘要 本发明涉及一种基于片上可编程系统的数控系统精插补器及其控制方法,精插补器基于FPGA结构,处理器与精插补模块、三态桥、双口RAM、DMA模块、定时器模块以及片内ROM相连;精插补模块,接收处理器的控制信号和在处理器控制下由双口RAM传送的粗插补命令,输出精插补脉冲信号;三态桥将处理器与FPGA外部的FLASH及SRAM相连;双口RAM通过PCI接口模块与上位机微处理器相连;定时器模块,向精插补模块输出其生成脉冲信号所需的基础频率;DMA模块将FLASH中存储的精插补控制程序拷贝到处理器内存中;内部交换总线模块,为各模块提供内部连接总线。本发明采用基于FPGA的片上系统的设计,提高了精插补器的保密性和集成性,提高了精插补器处理的稳定性和速度,降低了上位机的数据处理量。
申请公布号 CN101751009A 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200810229319.6 申请日期 2008.12.05
申请人 中国科学院沈阳计算技术研究所有限公司;沈阳高精数控技术有限公司 发明人 陶耀东;卢小张;刘伟;何方
分类号 G05B19/41(2006.01)I 主分类号 G05B19/41(2006.01)I
代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人 许宗富;周秀梅
主权项 一种基于片上可编程系统的数控系统精插补器,其特征在于:基于FPGA结构,包括:处理器,通过内部交换总线模块与精插补模块、三态桥、双口RAM、DMA模块、定时器模块以及片内ROM相连,运行精插补控制程序及双口RAM驱动程序;精插补模块,接收处理器的控制信号和在处理器控制下由双口RAM传送的粗插补命令,完成精插补计算,输出精插补脉冲信号;三态桥,将处理器与FPGA外部的FLASH及SRAM相连;双口RAM,通过PCI接口模块与上位机微处理器相连;定时器模块,在处理器的控制下,向精插补模块输出其生成脉冲信号所需的基础频率;DMA模块,接收处理器的控制命令,将FLASH中存储的精插补控制程序拷贝到处理器内存中;内部交换总线模块,为处理器模块、双口RAM模块、DMA模块、精插补模块、三态桥模块、定时器模块提供内部连接总线。
地址 110171 辽宁省沈阳市浑南新区南屏东路16号