发明名称 | 非易失性存储器 | ||
摘要 | 非易失性存储器包括:存储器单元阵列,包括多个存储器单元,每个存储器单元能够非易失性地存储电荷;第一传感放大器,用于将通过要读出的所选存储器单元之一而生成的电压与用于在所选存储器单元的写入状态和擦除状态之间区分的第一阈值相比较;第二传感放大器,用于将通过所选存储器单元之一而生成的电压与具有比所述第一阈值电压更大的电压的第二阈值相比较;以及写入单元,用于当所述第一传感放大器和所述第二传感放大器生成彼此不同的传感输出时重写所选存储器单元的数据。 | ||
申请公布号 | CN101751996A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
申请号 | CN200910225799.3 | 申请日期 | 2009.12.07 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 春日和则 |
分类号 | G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
主权项 | 一种非易失性存储器,包括:存储器单元阵列,包括多个存储器单元,每个存储器单元能够非易失性地存储电荷;第一传感放大器,用于将通过要读出的所选存储器单元之一而生成的电压与用于在所选存储器单元的写入状态和擦除状态之间区分的第一阈值相比较;第二传感放大器,用于将所述通过所选存储器单元之一而生成的电压与具有比所述第一阈值电压更大的电压的第二阈值相比较;以及写入单元,用于当所述第一传感放大器和所述第二传感放大器生成彼此不同的传感输出时重写所选存储器单元的数据。 | ||
地址 | 日本神奈川县川崎市 |