| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件可包括衬底和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。半导体器件可包括在衬底上和/或上方形成的第二导电类型阱。LDMOS器件可包括设置在衬底上和/或上方的漏极。LDMOS器件可包括：位于漏极一侧的场氧化物，位于衬底上和/或上方并位于场氧化物下方的第一导电类型杂质层，和/或介于第一导电类型杂质层和场氧化物之间的第二导电类型杂质层。在本发明中，例如通过最大化LDMOS器件的击穿电压，可最大化LDMOS器件的耐受电压。例如通过形成额外的电流流经路径(其可缩短电流流动距离)，可最小化漂移区的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101752421A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910252657.6 | 申请日期 | 2009.12.03 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李相容 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;邢雪红 |
| 主权项 | 一种器件，包括：第二导电类型阱，位于衬底上方；以及横向扩散金属氧化物半导体器件，其包括位于所述衬底上方的漏极、位于所述漏极一侧的场氧化物、位于所述衬底上方且位于所述漏极下方的第一导电类型杂质层，以及介于所述第一导电类型杂质层和所述场氧化物之间的第二导电类型杂质层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||