| 发明名称 | 氮化硅发热体及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化硅发热体及其制作方法，该氮化硅发热体包括发热源及发热本体，该发热源为钨丝，所述发热本体的组份及含量如下，按重量份计：氮化硅88～92份，三氧化二铝6.5～8.5份，三氧化二钇1.5～3.5份。本发明提供的氮化硅发热体及其制作方法，其制作流程简单、操作过程易控；利用该方法制作的氮化硅发热体，其成品的合格率较高，具有较高的导热性能，热效率较高，该氮化硅同时还具有较高的热震性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101754497A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN201010044457.4 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 邓湘凌 | 发明人 | 邓湘凌 |
| 分类号 | H05B3/14(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I | 主分类号 | H05B3/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种氮化硅发热体，其特征在于，包括发热源及发热本体，该发热源为钨丝，所述发热本体的组份及含量如下，按重量份计：氮化硅88～92份，三氧化二铝6.5～8.5份，三氧化二钇1.5～3.5份。 | ||
| 地址 | 518102 广东省深圳市宝安区西乡鹤洲恒丰工业城C5栋7楼 | ||