发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 一种半导体器件,它包括半导体结构部件(23),它具有一块半导体基片(24),这块基片有第一表面和第二表面,并具有在第一表面上形成的集成电路元件、多个连接在集成电路元件上的连接条带(25)、覆盖半导体基片并具有用于暴露上述连接条带(25)的孔(28)的保护层(27)、以及多个布置在保护层(27)上与连接条带(25)连接并具有条带的导体(31)。上绝缘层(37)覆盖除了条带之外、包括上述导体(31)在内的半导体结构部件(23)的整个上表面。密封构件(34或36)覆盖半导体结构部件(23)的至少一个侧表面。上导体(43)在上绝缘层上形成,并分别具有与上述条带电连接的端部和外连接条带,至少一个上导体的外连接条带布置在与密封构件相对应的区域内。
申请公布号 CN1568546B 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN03801269.3 申请日期 2003.08.05
申请人 卡西欧计算机株式会社 发明人 定别当裕康;三原一郎
分类号 H01L23/538(2006.01)I;H01L25/10(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L23/538(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 蔡洪贵
主权项 一种半导体器件,包括:半导体结构部件(23),它具有一块半导体基片(24),这块基片有一个表面、面向这个表面的另一个表面、以及在上述一个表面与另一个表面之间的多个侧表面,并且具有形成在上述一个表面上的集成电路元件、布置在上述一个表面上并与上述集成电路元件连接的多个连接条带(25)、一层用来覆盖半导体基片(24)的上述一个表面并具有用于暴露上述连接条带(25)的多个孔(28)的保护层(27)、以及连接到上述连接条带(25)并布置在上述保护层(27)上且具有条带的多个导体(31),多个圆柱形电极(32)分别形成在所述导体的条带上;密封薄膜(33),它形成在除了与圆柱形电极(32)对应的部分之外的上述保护层(27)上;覆盖上述半导体结构部件(23)的侧表面的密封构件;上绝缘层(37),它完全覆盖除了圆柱形电极(32)的上部中心表面之外的上述半导体结构部件(23)的上表面和密封构件的上表面;以及多个上导体(43),每个上导体在上绝缘层(37)的上侧形成,并分别具有与至少一个圆柱形电极(32)电连接的端部和外连接条带,至少一个上导体的外连接条带布置在与密封构件相对应的区域内。
地址 日本东京
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