| 发明名称 | 半导体器件P2ID和SM的测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件P2ID和SM的测试结构，包括依次排列的多个接触测试衬垫，其中测试衬垫(4)通过一个第一金属天线连接到测试衬垫(8)；测试衬垫(9)通过一个第二金属天线连接到测试衬垫(5)，所述第一金属天线和第二金属天线为蛇形，在所述测试衬垫(5)与所述测试衬垫(8)之间，第一金属天线和第二金属天线相互重叠。本发明通过将P2ID的测试结构和SM的测试结构集成在一起，且同一平面实现不同空间的重复利用，大大减小了两种测试结构占用芯片的面积，从而降低了器件测试的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101752345A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810044124.4 | 申请日期 | 2008.12.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘玉伟;张会锐;卜皎;曹刚 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 一种半导体器件P2ID和SM的测试结构，其特征在于，包括依次排列的多个接触测试衬垫，测试衬垫(1)连接一个第一场效应晶体管的衬底端，测试衬垫(2)连接所述第一场效应晶体管的源极或漏极，测试衬垫(3)连接所述第一场效应晶体管的漏极或源极，测试衬垫(4)连接所述第一场效应晶体管的栅极，所述测试衬垫(4)通过一个第一金属天线连接到测试衬垫(8)；测试衬垫(12)连接一个第二场效应晶体管的衬底端，测试衬垫(11)连接所述第二场效应晶体管的漏极或源极，测试衬垫(10)连接所述第二场效应晶体管的源极或漏极，测试衬垫(9)连接所述第二场效应晶体管的栅极，所述测试衬垫(9)通过一个第二金属天线连接到测试衬垫(5)，所述第一金属天线和第二金属天线为蛇形，在所述测试衬垫(5)与所述测试衬垫(8)之间的芯片区域，第一金属天线和第二金属天线可相互重叠。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||