| 发明名称 | 氮化物半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明得到一种能够防止真空吸附时的GaN基板的破裂的氮化物半导体装置的制造方法。在将n型GaN基板(10)搭载在基板支持器(56)上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层(12)在n型GaN基板(10)的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置(76)真空吸附n型GaN基板(10)的N面。但是，在使半导体层(12)外延生长时，n型GaN基板(10)翘曲使得Ga面的凹陷，半导体层(12)的原料气体绕入到n型GaN基板(10)的N面，并在n型GaN基板(10)的N面堆积外延沉积物(58)。因此，在使半导体层(12)外延生长之后，而且在真空吸附n型GaN基板(10)的N面之前，除去外延沉积物(58)。 | ||
| 申请公布号 | CN101752783A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910226581.X | 申请日期 | 2009.11.25 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 阿部真司;川崎和重 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体装置的制造方法，在将GaN基板搭载在基板支持器上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层在所述GaN基板的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置真空吸附所述GaN基板的N面，其特征在于，在使所述半导体层外延生长时，所述GaN基板翘曲使得Ga面的中央凹陷，所述半导体层的原料气体绕入到所述GaN基板的N面，在所述GaN基板的N面堆积外延沉积物，在使所述半导体层外延生长之后，而且在真空吸附所述GaN基板的N面之前，除去所述外延沉积物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||