| 发明名称 | SOI衬底的制造方法以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及SOI衬底的制造方法以及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种减少SOI衬底的单晶半导体层中的氧浓度的方法。通过使单晶半导体层成为熔化状态，来促进氧的外方扩散。具体来说，形成具有支撑衬底、设置在所述支撑衬底上的含有氧的接合层、以及设置在所述含有氧的接合层上的单晶半导体层的SOI结构；在将所述支撑衬底加热到500℃以上且低于所述支撑衬底的熔点的温度的状态下，通过照射激光束使所述单晶半导体层部分熔化，由此制造SOI衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101752294A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910262141.X | 申请日期 | 2009.12.15 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大沼英人;桃纯平;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱海煜;王丹昕 |
| 主权项 | 一种SOI衬底的制造方法，包括以下步骤：形成具有支撑衬底、设置在所述支撑衬底上的含有氧的接合层、以及设置在所述含有氧的接合层上的单晶半导体层的SOI结构；以及在以500℃以上且低于所述支撑衬底的熔点的温度加热所述支撑衬底的状态下，通过照射激光束使所述单晶半导体层的一部分熔化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||