| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种采用纳米压印方法制造半导体器件的方法，该半导体器件的成本可以降低。在本发明中，在半导体薄膜上依次形成栅绝缘膜、导电膜、和抗蚀剂，并在将形成了图形的模子压到抗蚀剂上的同时硬化抗蚀剂。因此，图形转移到抗蚀剂上，灰化被转移图形的抗蚀剂的表面，直到暴露导电膜的一部分，使用具有灰化的表面的抗蚀剂为掩模，并刻蚀导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1722366B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200510075912.6 | 申请日期 | 2005.06.01 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 前川慎志 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成导电膜；在导电膜上形成抗蚀剂；将具有图形的模子压到该抗蚀剂上；硬化具有图形的抗蚀剂；灰化图形转移到其上的抗蚀剂的表面，以暴露导电膜的一部分；以及使用灰化后的抗蚀剂为掩模刻蚀导电膜以形成栅电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||