| 发明名称 | 在基材上形成穿导孔的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种在基材上形成穿导孔的方法，包括以下步骤：(a)提供一基材，该基材具有第一表面及第二表面；(b)形成一开槽于该基板；(c)填入一导电金属于该开槽内；(d)移除位于该导电金属外围的部分基材，且保留该导电金属，使得该导电金属与该基材之间形成一容置空间；(e)形成一绝缘材料于该容置空间；及(f)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该绝缘材料。藉此，可以在该容置空间内形成较厚的绝缘材料，而且该绝缘材料在该容置空间内并不会有厚度不均匀的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101281883B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810099850.6 | 申请日期 | 2008.05.26 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 王盟仁 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种在硅基材上形成穿导孔的方法，包括：(a)提供一硅基材，该硅基材具有第一表面及第二表面；(b)形成一开槽于该基板的第一表面；(c)填入一导电金属于该开槽内；(d)移除位于该导电金属外围的部分硅基材，且保留该导电金属，使得该导电金属与该硅基材之间形成一容置空间；(e)形成一绝缘材料于该容置空间；及(f)去除部分该硅基材的第二表面，以显露该导电金属及该绝缘材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||