用于制造半导体激光器的方法

摘要

本发明公开了一种用于制造半导体激光器的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有与脊形条对应的条形掩模部分的掩模层，所述掩模层将形成在基于氮化物的III-V族化合物半导体层上；利用掩模层将基于氮化物的III-V族化合物半导体层蚀刻至预定深度以形成脊形条；形成抗蚀剂层以覆盖掩模层和基于氮化物的III-V族化合物半导体层；回蚀抗蚀剂层直到暴露掩模层的条形掩模部分为止；通过蚀刻来移除掩模层的暴露的掩模部分以暴露脊形条的上表面；在抗蚀剂层和暴露的脊形条上形成金属膜以在脊形条上形成电极；移除抗蚀剂层连同其上形成的金属膜；以及通过蚀刻来移除掩模层。

主权项

一种用于制造半导体激光器的方法，包括以下步骤：形成具有与脊形条对应的条形掩模部分的掩模层，所述掩模层将形成在其中形成激光器结构的基于氮化物的III-V族化合物半导体层上；利用所述掩模层将所述基于氮化物的III-V族化合物半导体层蚀刻至预定深度以形成所述脊形条；形成抗蚀剂层以覆盖所述掩模层和所述基于氮化物的III-V族化合物半导体层，使得所述抗蚀剂层的厚度在与所述脊形条的电流注入区域相对应的所述掩模层的一部分条形掩模部分上最小化；回蚀所述抗蚀剂层，直到暴露所述掩模层的条形掩模部分为止；通过蚀刻来移除所述掩模层的暴露的条形掩模部分，以暴露所述脊形条的上表面；在所述抗蚀剂层和所述暴露的脊形条上形成用于形成电极的金属膜，以在所述脊形条上形成电极；移除所述抗蚀剂层连同其上形成的所述金属膜；以及在移除所述抗蚀剂层后通过蚀刻来移除所述掩模层。