| 发明名称 | 消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法，在刻蚀制程结束时，静电吸盘的释放电荷流程中将氟基气体混合氧气，一同通入刻蚀反应腔室。通过氟基气体对生成溴化氢副反应的抑制作用，消除溴化氢干法刻蚀制程里残留浓缩的溴化氢对晶圆及设备的污染，其对于现有干法刻蚀制程改进方便，效果显著。 | ||
| 申请公布号 | CN101752207A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810203860.X | 申请日期 | 2008.12.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 毛永吉;张京晶;王军;石锗元;李金刚 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法，用于消除干法刻蚀制程中残留浓缩的溴化氢对晶圆及设备的污染，其特征在于在刻蚀制程中将氟基气体通入刻蚀反应腔室。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||