发明名称 |
移位缓存器 |
摘要 |
本发明公开了一种移位缓存器包括控制电路、上拉电路以及下拉电路。其中,控制电路于其被致能期间依据启始信号产生控制信号;上拉电路于其被控制信号致能期间依据频率信号产生栅极脉冲信号且包括双栅极晶体管,双栅极晶体管的第一栅极因电性耦接关系而接收控制信号,双栅极晶体管的第二栅极因电性耦接关系而接收预设电压,双栅极晶体管的第一源/漏极作为栅极脉冲信号的输出端,双栅极晶体管的第二源/漏极因电性耦接关系而接收频率信号;下拉电路于上拉电路未被致能期间将双栅极晶体管的第一栅极的电位与门极脉冲信号的输出端的电位下拉至电源电位。 |
申请公布号 |
CN101752006A |
申请公布日期 |
2010.06.23 |
申请号 |
CN200910265506.4 |
申请日期 |
2009.12.25 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
林师勤;樊祥彬;陈文彬;曾贵圣;吴贞仪 |
分类号 |
G11C19/28(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I |
主分类号 |
G11C19/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
一种移位缓存器,其特征在于,包括:一控制电路,于其被致能期间依据一启始信号产生一控制信号;一上拉电路,于其被该控制信号致能期间依据一频率信号产生一栅极脉冲信号,其中该上拉电路包括一双栅极晶体管,该双栅极晶体管的一第一栅极因电性耦接关系而接收该控制信号,该双栅极晶体管的一第二栅极因电性耦接关系而接收一预设电压,该双栅极晶体管的第一源/漏极作为该栅极脉冲信号的输出端,该双栅极晶体管的第二源/漏极因电性耦接关系而接收该频率信号;以及一下拉电路,于该上拉电路未被致能期间将该双栅极晶体管的该第一栅极的电位及该栅极脉冲信号的该输出端的电位下拉至一电源电位。 |
地址 |
中国台湾新竹 |