| 发明名称 | 体衬底上制造的被隔离的三栅极晶体管 | ||
| 摘要 | 一种形成被隔离的三栅极半导体主体的方法，包括：对体衬底进行构图，以形成鳍结构；在所述鳍结构周围沉积绝缘材料；使所述绝缘材料凹陷，以暴露所述鳍结构的将用作所述三栅极半导体主体的部分；在所述鳍结构的被暴露部分上沉积氮化物盖，以保护所述鳍结构的被暴露部分；以及执行热氧化工艺，以氧化所述鳍结构位于所述氮化物盖下方的未被保护部分。所述鳍结构的被氧化部分隔离受所述氮化物盖保护的所述半导体主体。然后可以去除所述氮化物盖。所述热氧化工艺可以包括在大约900℃和大约1100℃之间的温度下、在大约0.5小时和大约3小时之间的时间段内对所述衬底进行退火。 | ||
| 申请公布号 | CN101755327A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200880025190.5 | 申请日期 | 2008.06.30 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·里奥斯;J·T·卡瓦列罗斯;S·M·塞亚 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种形成被隔离的半导体主体的方法，包括：对体衬底进行构图，以形成鳍结构；在所述鳍结构周围沉积绝缘材料；使所述绝缘材料凹陷，以暴露所述鳍结构的一部分；在所述鳍结构的被暴露部分上沉积氮化物盖，以保护所述鳍结构的被暴露部分；进行热氧化工艺，以氧化所述鳍结构位于所述氮化物盖下方的未被保护部分，从而使所述鳍结构的被保护部分与所述体衬底隔离；以及去除所述氮化物盖。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||