发明名称 |
一种多晶硅料的提纯方法 |
摘要 |
本发明涉及一种多晶硅料的提纯方法,尤其是一种去除低等级硅中的磷杂质的提纯方法。本方法对硅料进行低压熔炼和直拉结晶,其特征在于包括以下步骤:将硅料投入配有磁场激励装置的熔化结晶设备中加热熔化;将熔融的硅熔体进行低压蒸馏熔炼;将熔炼后的硅熔体进行磁控直拉结晶,获得到太阳能级硅晶体;所述的硅料的提纯方法中所述的磁场激励装置产生的磁感应强度为500~1000Gs。本发明利用磁场抑制了硅熔体的热对流和机械搅拌产生的对流,可以有效的去除低等级硅中的磷杂质,获得高纯度的硅材料,使其能够大规模、大比例地应用于制造高效率太阳能电池用的硅片,另外还具有安装简单、维修方便的优点。 |
申请公布号 |
CN101748481A |
申请公布日期 |
2010.06.23 |
申请号 |
CN200810163005.0 |
申请日期 |
2008.12.11 |
申请人 |
浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明人 |
吴云才;刘伟;刘文涛;聂帅 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 |
代理人 |
徐关寿 |
主权项 |
一种多晶硅料的提纯方法,包括对硅料进行低压熔炼和直拉结晶,其特征在于包括以下步骤:a、将硅料投入配有磁场激励装置的熔化结晶设备中加热熔化;b、将熔融的硅液进行低压蒸馏熔炼;c、将熔炼后的硅液进行磁控直拉结晶,获得太阳能级硅晶体。 |
地址 |
314117 浙江省嘉善县姚庄工业园宝群路8号 |